Fuente: STMICMicroelectrónica

Italia y Francia Semiconductor dijeron que las dos partes han firmado un acuerdo para establecer una nueva fábrica conjunta de fabricación de dispositivos de carburo de silicio de 8 pulgadas en chongqing, china, para apoyar mejor la creciente demanda de electrificación automotriz, electricidad industrial y aplicaciones energéticas de china.


Al mismo tiempo, sanan Optoelectronics utilizará su propio proceso de sustrato de sic para construir y operar una nueva fábrica de sustrato de SIC de 8 pulgadas por separado para satisfacer las necesidades de sustrato de la empresa conjunta. La empresa conjunta adoptará la tecnología patentada de proceso de fabricación de SIC de st, centrándose en la producción de dispositivos de sic para ST y como fundición de obleas dedicada de St para satisfacer las necesidades de sus clientes chinos.


STMicroelectronics espera que la planta entre en funcionamiento en el cuarto trimestre de 2025 y que los ingresos por carburo de silicio superen los 5.000 millones de dólares en 2030.

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